Core Concepts
本文提出並展示了一種在三維矽光子晶片上實現電信光絕熱非阿貝爾編織的捷徑,利用絕熱捷徑 (STA) 策略加速編織操作,並實現了比以往研究小三個數量級的緊湊型設備。
Abstract
研究目標
本研究旨在開發一種在矽光子晶片上實現快速且緊湊的絕熱非阿貝爾編織方法,以克服傳統絕熱編織操作距離長、阻礙實際應用的問題。
方法
研究人員設計了一種三層矽波導結構,並採用絕熱捷徑 (STA) 策略來加速絕熱過程,從而顯著縮短系統長度,同時確保所需的狀態演變。他們通過在集成矽波導之間施加循環調製跳躍幅度來實現編織,並使用有限元方法模擬光在波導結構中的傳播。此外,他們還製造了三層集成波導樣品,並使用近紅外電荷耦合器件 (CCD) 相機觀察光輸入和輸出過程,以驗證 STA 編織方案的可行性。
主要發現
- STA 設計能夠在顯著縮短的演化距離內完成編織過程,例如,傳統泵浦過程實現完全轉移所需的最小長度為 92 μm,而 STA 編織可以縮短至 24 μm(縮小約 3.8 倍)。
- STA 路徑在泵浦過程中保持零模的優勢,確保即使存在串擾,它最終也會返回到零能級,從而成功完成編織操作。
- 研究人員成功地在三維矽光子晶片上實現了電信光的 STA 編織,並通過實驗觀察到非阿貝爾編織行為。
- 與先前的工作相比,該研究展示了實現尺寸顯著縮小的非阿貝爾器件的可行性,其尺寸比最先進的雷射写入光波導系統小三個數量級。
主要結論
這項工作證明了在完全集成的 CMOS 兼容矽平台上探索非阿貝爾物理的潛力,為緊湊型非阿貝爾光子集成器件鋪平了道路。
意義
這項研究為加速絕熱編織演化提供了一種可行的方法,並為在集成光子晶片中構建量子邏輯閘門提供了新的可能性。此外,緊湊的設備尺寸可以提高非阿貝爾光子晶片的集成密度,並最大程度地減少由於納米製造導致的尺寸不確定性的影響,從而能夠擴展到具有更複雜非阿貝爾光子器件網路的更大電路。
Stats
傳統絕熱編織需要至少 92 μm 的長度才能實現完全能量轉移。
STA 編織可以將所需長度縮短至 24 μm,縮小約 3.8 倍。
三模 STA 非阿貝爾編織過程在 144 μm 內完成。
相比之下,最先進的雷射写入光波導系統的尺寸為毫米級。
Quotes
「非阿貝爾現象在物理學的各個領域都很普遍,包括高能物理學、凝聚態物理學,以及光和聲等經典波系統。」
「雖然它們的多樣性,但非交換性是非阿貝爾現象的核心,使得非阿貝爾系統的物理學比阿貝爾系統的物理學要複雜和多樣化得多。」
「有趣的是,簡併零模的非阿貝爾編織已經擴展到以光和聲為平台的經典波系統,成為一種多模幾何效應,稱為 Berry-Wilczek-Zee (BWZ) 相位,它是眾所周知的標量 Berry 相位的矩陣推廣。」
「雖然相關的非交換操作為涉及酉矩陣的應用(例如光子量子邏輯)帶來了希望,但這些編織操作從根本上受限於絕熱條件,這需要足夠長的距離,從而阻礙了實際應用。」
「因此,人們迫切需要緊湊的光子非阿貝爾系統來研究更複雜的非阿貝爾現象,並開發在光子和光操縱方面的實際應用。」